晶閘管伏安特性測(cè)試儀（0-6000V）DBC-023B 

適用范圍及特點(diǎn) 主要參數(shù)
用于測(cè)試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管的如下參數(shù)：
◇ 正向斷態(tài)電壓(VDRM）；
◇ 反向阻斷電壓(VRRM）；
◇ 正向斷態(tài)漏電流(IDRM）；
◇ 反向阻斷漏電流(IRRM）；

晶閘管伏安特性測(cè)試儀（0-6000V）DBC-023B 
數(shù)字顯示測(cè)試結(jié)果。
對(duì)被測(cè)器件具有保護(hù)功能。
保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。
正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測(cè)量范圍：
0-6000V
正向斷態(tài)和反向阻斷電流測(cè)量范圍：
0-199mA
保護(hù)電流設(shè)定:
0-199mA
外形尺寸：440×440×150mm
整機(jī)重量：15kg

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